LED在高溫和電流應(yīng)力下，LED的封裝和透鏡都發(fā)生老化，顏色發(fā)黃、發(fā)光效率降低和色度參數(shù)特性發(fā)生變化，甚至失效。因此，LED的壽命跟工作條件關(guān)系緊密。針對LED在不同電流和溫度應(yīng)力條件下的老化研究尤為重要，為此，我們做了85℃和125℃下的高溫老化試驗(yàn)，下面是大致實(shí)驗(yàn)內(nèi)容。
試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 LED熱應(yīng)力試驗(yàn)箱
試驗(yàn)樣品：１W GaN基白光LED
研究內(nèi)容：LED高溫耐電（HTCD）和高溫存儲（HTS）兩種老化條件的光熱性能變化
實(shí)驗(yàn)過程：
1.對所有樣品在常溫和正常工作電流條件下進(jìn)行1000h的預(yù)老化實(shí)驗(yàn)，目的是剔除光色參數(shù)變化幅度較大的次品，驅(qū)動電路如下圖所示。
2.選擇綜合性能穩(wěn)定的樣品并將其分成兩組（每組5顆，編號從1到10）；接著，開展HTCD實(shí)驗(yàn)及HTS實(shí)驗(yàn)。
實(shí)驗(yàn)條件：
1. HTCD 實(shí)驗(yàn)條件為：LED熱應(yīng)力試驗(yàn)箱溫度控制在 85±2℃下，工作電流If為 350 mA。此時(shí)，測得器件的結(jié)溫為125℃。在此條件下，老化1 000 h。
2. HTS 實(shí)驗(yàn)條件為：無加載電流，調(diào)節(jié)LED熱應(yīng)力試驗(yàn)箱的溫度為 125±2 ℃，使器件結(jié)溫與 HTCD 實(shí)驗(yàn)的結(jié)果保持一致。以方便比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果，之后在該溫度下存儲1000 h。兩組實(shí)驗(yàn)同時(shí)進(jìn)行，待實(shí)驗(yàn)完成時(shí)樣品在室溫下放置 4 h，然后測試其光、熱性能參數(shù)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果：
HTCD 實(shí)驗(yàn)和 HTS 實(shí)驗(yàn)后的硅膠圖
25 ℃和 350 mA 下老化0 h、預(yù)老化1000 h和高溫 85 ℃、驅(qū)動電流為 350 mA 下老化1000h的輻射功率分布圖
25 ℃和 350 mA 下老化0h、預(yù)老化1 000 h和 125 ℃下存儲 1000 h后的光譜功率分布圖
試驗(yàn)結(jié)論：
結(jié)果表明，在 HTCD老化下，光通量衰減達(dá)到 40~60%;而 HTS下的衰減只有 10~14%。這說明，電流應(yīng)力對LED的壽命影響比較大。
如對以上試驗(yàn)有疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
