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高溫堆碼試驗(yàn)箱按照《GB/T4857.3-2008 靜載荷堆碼試驗(yàn)方法》以及《GB 18191-2008 包裝容器、危險(xiǎn)品包裝用塑料桶堆碼試驗(yàn)》等標(biāo)準(zhǔn)的要求設(shè)計(jì)
絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar tran‐sistor，IGBT)是一種功率半導(dǎo)體器件，以其耐高壓、功耗低、開關(guān)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。溫
BGA封裝在電子元器件中的互連、信息傳輸?shù)确矫嫫鹬匾饔?，研究封裝元件的可靠性以及內(nèi)部焊點(diǎn)在高溫、高濕、高壓等極限條件下的穩(wěn)定性顯得尤為重要。下面，我們使用高
高低溫?zé)崃鳑_擊測(cè)試儀適用于所有電子和材料部件，通過(guò)急劇的溫度變化，對(duì)其材料特性和行為測(cè)試進(jìn)行研究。產(chǎn)品符合JEDEC、MIL-STD、GJB等標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)使用高低
目前大功率SiC IGBT器件常用高熔點(diǎn)的高鉛焊料作為固晶材料，為保證功率器件的長(zhǎng)期使用，需研究溫度沖擊條件下高鉛焊點(diǎn)的疲勞可靠性，并探究其失效機(jī)理。下面，我們
BGA焊接失效的種類眾多，包括焊料空洞失效，焊點(diǎn)失效和熱應(yīng)力導(dǎo)致的元器件失效等，為了研究BGA封裝失效的機(jī)理，我們使用高低溫氣流沖擊系統(tǒng)，對(duì)無(wú)鉛焊接的 BGA進(jìn)
高低溫氣流沖擊熱流儀能夠提供-80℃到225℃溫度變化。最快可在5秒內(nèi)達(dá)到-55 ℃到 125 ℃ 的設(shè)定溫度。為了保證半導(dǎo)體元件、光通信等產(chǎn)品使用的可靠性以及
混合集成電路DC-DC轉(zhuǎn)換器，是電子設(shè)備的核心部分。按照篩選要求，需要進(jìn)行高低溫測(cè)試。即在指定的工作溫度下，測(cè)試DC-DC轉(zhuǎn)換器電性能特性。下面，我們應(yīng)用冷熱沖
